株式会社KOKUSAI ELECTRIC

証券コード: 6525 / 対象年度: 2026 / 提出日: 2026-06-25
業種 電気機器
年度切替

このページは、EDINETに提出された有価証券報告書をもとに、 企業のリスク認識・投資領域・経営方針を自動整理したものです。

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3分で読める事業概要

有価証券報告書の記載内容をもとに、事業内容・主なサービス・確認ポイントを自動整理した参考情報です。

事業の概要

半導体製造装置の「成膜」および「熱処理」工程に強みを持つメーカーです。特に、高難易度な成膜と高い生産性を両立するバッチALD技術において世界トップクラスのシェアを誇り、次世代デバイス向けの高度な技術を提供しています。

主な事業領域

半導体製造装置の開発・製造・販売・保守サービスを展開。前工程における「成膜」および「熱処理」工程に特化した装置を提供。

主な製品・サービス

  • バッチ成膜装置(AdvancedAce®シリーズ、TSURUGI® 剱®シリーズ)
  • 枚葉プラズマトリートメント(膜質改善)装置(MARORA®)

ビジネスモデル

高度な技術と品質の信頼性の高い製品を提供し、装置のライフサイクル全体にわたるメンテナンスや修理、部品供給、提供するサービスの拡充により収益を得る。

セグメント・事業構成

半導体製造装置事業(単一セグメント)

戦略・方向性

バッチALD技術やプラズマトリートメント技術による高付加価値製品の販売拡大、サービス拡充、DX活用による生産効率向上、およびESG経営の推進。

強みとして読み取れる点

  • バッチALD技術における世界トップクラスのシェア
  • 成膜・熱処理工程における高度な専門技術
  • 高い生産性と品質を両立する独自技術

課題として読み取れる点

  • デバイス構造の複雑化に伴う生産性の低下への対応
  • 地政学リスクや貿易摩擦などの不透明な国際情勢

確認ポイント

  • 次世代デバイス向けの高付加価値製品の成長
  • DRAM・NAND市場の回復動向
  • 海外拠点の展開と技術革新への投資状況

概要整理の信頼度: 4 / 5 ・事業内容、主要製品、強み、経営戦略が詳細に記載されており、概要把握には十分な情報があるため。

有報ナビによる分析

有価証券報告書の記載内容をもとに、リスク、経営方針、 投資・研究開発に関する情報を整理したものです。

各スコアは、有価証券報告書の記載内容を整理するための参考指標です。 5段階表示で、スコアが高いほど各項目の性質が強く出ていることを表します。 ただし、投資判断、企業価値、将来業績を評価・予測するものではありません。

特に「リスク開示記載度」は、高いほど良いという意味ではありません。 有報上で注意して読むべきリスク記述が多い、具体的、または重い可能性があるという意味です。

スコアの詳しい見方
リスク開示記載度
スコアが高いほど、有価証券報告書に記載されたリスク開示について、 注意して読むべき記述の多さ・具体性・重さが強いことを表します。 企業そのものの危険度や倒産リスクを示すものではありません。
方針記載度
スコアが高いほど、経営方針、対処すべき課題、資本政策、 リスク対応などが具体的に記載されていることを表します。 方針の良し悪しや実現可能性を判定するものではありません。
投資・変化記載度
スコアが高いほど、設備投資、研究開発、新規事業、DX、海外展開、 事業構造の変化など、将来に向けた取り組みの記載が強いことを表します。 成長性や投資成果を予測するものではありません。

リスク開示の整理

リスク開示記載度: 2 / 5

有報ナビによる整理

マクロ経済(地政学的リスク、輸出規制等)によるコスト増や販売機会の損失に対し、製品・地域の多角化で対応。市場動向の変化や競合への対応として、ALD等のコア技術開発を推進。主要顧客への依存については、信用調査と管理体制の強化を実施。サプライチェーンにおける調達遅延や価格高騰には、マルチベンダー化や供給停止通知の義務付け等で対応。災害やサイバー攻撃等の事業継続リスクに対し、BCPマニュアル整備や情報セキュリティ対策を講じる。知的財産、環境、人材、コンプライアンスに関する管理体制も構築済み。のれん等の無形資産に係る減損リスクに対しては、収益力強化と顧客関係向上により対応する。

経営方針・課題の整理

方針記載度: 4 / 5

有報ナビによる整理

同社は半導体製造装置の成膜・プラズマトリートメント分野で強固なシェアを持ち、独自のALD技術を武器に成長を遂めている。2029年に向けた野心的な数値目標を掲げ、高度な技術開発とサービスビジネスの拡充、DX推進を通じて収益性の向上を目指す。多額ののれんを抱えるものの、事業の強みと明確な戦略によりリスクへの対応も体系的に構築されている。

成長方針

バッチALDおよびプラズマトリートメント技術を核とした高付加価値製品の提供、Logic/Foundry/DRAM分野への展開、リカーリングな収益が見込めるサービスビジネスの拡充、DXによる生産効率向上、およびグローバルな拠点整備を通じた成長戦略。

資本政策

資本効率の向上を重視し、WACCを上回るROICおよびROEの目標を設定。運転資金は内部留保で対応し、設備投資は必要に応じて借入等で調達。のれん等の無形資産リスクに対しては、高付加価値製品の展開とサービスビジネスの拡大による収益力強化で対応する方針。

リスク対応方針

サプライチェーンリスクに対しマルチベンダー化と価格転嫁で対応。情報セキュリティやコンプライアンス体制を強化。地政学的リスクやマクロ経済変動に対しては、製品・地域別の売上構成の最適化と高度な技術による差別化で対応。

関連する原文は、下部の「有報本文」に掲載しています。

投資・研究開発・成長施策の整理

投資・変化記載度: 5 / 5

有報ナビによる整理

同社は成膜および熱処理工程における高度な技術力を背景に、バッチALDやプラズマトリートメント分野で世界トップクラスのシェアを誇る。AIや先端パッケージングといった高成長領域への対応に向けた積極的なR&D投資と、グローバル拠点の拡充、DXによる生産効率化など、強固な競争優位性を維持しつつ次世代半導体市場での成長を目指す戦略が明確である。

設備投資の方向性

韓国や米国におけるデモセンターの拡張・新設を含むグローバルな拠点整備、および次世代半導体(AI、高度パッケージング等)に対応するための生産・開発体制の拡充に向けた投資を推進。

研究開発・商品開発

バッチALD技術とプラズマトリートメント技術を核とした高付加価値製品の開発に注力。特にデバイスの微細化・複雑化に伴う要求に応えるため、高度な成膜技術と生産性の両立を目指す先行投資を積極的に実施。

投資・変化テーマ

  • バッチALD技術の高度化
  • プラズマトリートメント(膜質改善)技術
  • アドバンスドパッケージ分野への展開
  • グローバルデモセンターの拡充
  • DXによる生産効率向上

関連キーワード

  • ALD
  • LP-CVD
  • プラズマトリートメント
  • 3次元構造対応
  • 高生産性成膜
  • ロジック/ファウンドリ向け技術

財務情報

提出書類の財務情報を、会計基準や表示範囲とあわせて整理しています。

表示基準

会計基準IFRS 連結区分連結 対象期間2025-04-01 〜 2026-03-31 表示状況表示可能

提出日: 2026-06-25

財務情報

業績

収益

2,350.79億円
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営業利益

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税引前利益

407.39億円
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親会社帰属利益

300.99億円
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財政状態・流動性

総資産

3,596.58億円
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資本

2,192.7億円
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親会社所有者帰属持分

2,192.7億円
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現金及び現金同等物

565.43億円
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キャッシュフロー

3区分

営業CF

+488.01億円
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-169.54億円
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財務項目の関係

資本項目の関係

同値だが別Fact
根拠・定義
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参考情報

別基準の参考値

主要指標とは別に掲載

経常利益

282.12億円
会計基準
日本基準
連結区分
単体
比較可能性
主要値とは直接比較できません

会計基準と連結区分が主要値と異なるため、直接比較できません。

根拠・定義
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経常利益又は経常損失
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確認事項

開示上の確認事項

この表示に確認事項はありません。

文書情報を確認
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2025-04-01 〜 2026-03-31
表示状況
表示可能
選定状況
一部項目未表示
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ready
raw selection status
partial

有報本文

有報ナビによる整理の根拠となる原文を、項目ごとに確認できます。

事業・経営に関する有報本文

有価証券報告書から抽出した本文の一部です。抽出位置や区分は自動処理のため、原文全体の確認もあわせて推奨します。

事業・経営に関する有報本文を表示

事業の内容

抜粋表示 / 原文長 約4935文字

3【事業の内容】 当社グループは、当社及び連結子会社7社で構成され、半導体製造装置の開発・製造・販売・保守サービスを中心にグローバルに事業活動を展開しております。当社グループは、半導体製造装置事業の単一セグメントであるため、ビジネスユニットごとに分類して記載いたします。 (1)装置ビジネス 当社グループでは、半導体の製造に使用する装置の製造及び販売を行っております。半導体の製造プロセスの概略図を(図-1)に示します。半導体は、シリコンウェーハ上に、回路を形成していく工程を繰り返して製造していきます。回路形成工程は、回路形成に必要な薄膜等を形成する成膜工程、成膜後に熱をかけて結晶サイズを揃える(アニール)等の熱処理工程、成膜上に回路を形成するパターニングを行うリソグラフィ工程、パターンに沿って膜を取り除くエッチング工程、各工程間でウェーハを洗浄する洗浄工程、各工程間での検査工程で構成されます。シリコンウェーハ上にこれらの工程を繰り返して回路を形成する製造工程を総称して前工程と呼んでおります。そして、前工程の工程ごとに高度な専用技術を要したさまざまな装置が使用されることで半導体が製造されます。当社グループでは、前工程における「成膜」工程の装置を主力製品として、また「熱処理」工程に用いられる装置の製造及び販売をしております。 図-1 半導体製造前工程と主な当社グループ適応製品 「成膜」工程とは、シリコンウェーハの回路形成における回路素材となるポリシリコン膜や絶縁膜等の薄膜を形成する工程を指します。当社グループでは、その成膜工程の中でLP-CVD製品のほかに、ALD(注1)に対応した製品を提供しております。 一方、「熱処理」工程とは、熱酸化(注2)膜を形成するプロセスや、成膜後に加熱して膜中の結晶サイズを揃える(アニール)プロセス、成膜後に注入した不純物を加熱して均一に拡散するプロセス、また、プラズマを用いて成膜後に膜質を改善する(トリートメント)プロセスなどを指します。当社グループでは、本工程に最適なプロセス技術にて装置提供を行っております。 これらの工程は、シリコンウェーハの回路形成において重要な役割を担うことから、各装置に、高度な技術と品質の信頼性の高い製品提供が必要となります。 当社グループが装置メーカーとして取り組んでいる最も重要な課題に、デバイス構造の複雑化を原因とする成膜プロセスの生産性の低下があります。三次元(立体)構造になるとデバイスの構造がより深く、複雑になります。それにより成膜が必要な表面積が拡大し、ガスの移動距離が長くなり、成膜に要する時間が増加するため、生産性の課題が顕在化します。また、デバイス構造の複雑化に伴い、難易度の高い高品質成膜が要求されており、ALDのニーズが高まっております。…

経営方針・経営戦略・対処すべき課題

抜粋表示 / 原文長 約4902文字

1【経営方針、経営環境及び対処すべき課題等】 文中における将来に関する事項は、本書提出日現在において当社が判断したものであります。 (1)企業理念 当社グループは、ステークホルダーの皆様との対話をより一層深め、技術で未来を支えていく決意を込めた企業理念として「KOKUSAI ELECTRIC Way」を掲げております。 (2)経営方針 当社グループは、企業理念の実現に向け、半導体製造装置メーカーとして社会的責任を強く自覚し、事業活動とESGの取り組み(環境・社会課題の解決、ガバナンスの強化)の両側面から経済価値及び環境・社会価値を追求することにより、SDGsの達成に寄与するとともに、持続可能な社会の実現と当社グループの持続的な発展の両立をめざしてまいります。 (3)経営戦略 当社グループは、半導体製造プロセスの前工程における「成膜」工程に注力しており、バッチ成膜装置、枚葉プラズマトリートメント(膜質改善)装置で世界トップクラスのシェアを有しております。近年、半導体デバイスの進化に伴う多層化、微細化、複雑化、三次元化により、高品質な薄膜等を形成する高度な技術が必要とされています。これに対して当社グループは、難易度の高い成膜と高い生産性を両立するバッチALD(注1)技術や、高い生産性を維持しつつ形成された薄膜の膜質を改善するプラズマトリートメント技術を生かした高付加価値製品の販売拡大や研究開発に注力し、事業拡大を図ってまいります。また、装置のライフサイクル全体にわたって、メンテナンスや修理、部品供給、移設・改造などお客様のニーズに合わせたサービスの拡充を図るとともに、今後の需要拡大に対応するための生産体制及び開発体制の拡充、DXを活用した生産効率向上にも注力してまいります。 ESGの取り組みでは、設定した5つのマテリアリティに基づき、社会課題及び環境課題に向けた活動を推進してまいります。 また、ディスクロージャーポリシーに則り、ステークホルダーの皆様と積極的に対話を行ってまいります。 (注1)当社グループでは、複数のガスをサイクリックに供給する工程を伴い、原子層レベルで成膜する手法を「ALD」と呼んでいます。 (4)中期計画 当社グループは、2024年6月に中期経営計画を策定し、WFE(Wafer Fab Equipment:半導体製造装置市場)の市場規模および市場成長を前提として中期目標を設定いたしまた。その後、市場環境が大きく変化したことから、2026年5月に見直しを行い、2029年3月期までに当社グループの売上収益3,300億円以上、調整後営業利益率30%以上を達成することを目標としております。…

対処すべき課題

抜粋表示 / 原文長 約4902文字

1【経営方針、経営環境及び対処すべき課題等】 文中における将来に関する事項は、本書提出日現在において当社が判断したものであります。 (1)企業理念 当社グループは、ステークホルダーの皆様との対話をより一層深め、技術で未来を支えていく決意を込めた企業理念として「KOKUSAI ELECTRIC Way」を掲げております。 (2)経営方針 当社グループは、企業理念の実現に向け、半導体製造装置メーカーとして社会的責任を強く自覚し、事業活動とESGの取り組み(環境・社会課題の解決、ガバナンスの強化)の両側面から経済価値及び環境・社会価値を追求することにより、SDGsの達成に寄与するとともに、持続可能な社会の実現と当社グループの持続的な発展の両立をめざしてまいります。 (3)経営戦略 当社グループは、半導体製造プロセスの前工程における「成膜」工程に注力しており、バッチ成膜装置、枚葉プラズマトリートメント(膜質改善)装置で世界トップクラスのシェアを有しております。近年、半導体デバイスの進化に伴う多層化、微細化、複雑化、三次元化により、高品質な薄膜等を形成する高度な技術が必要とされています。これに対して当社グループは、難易度の高い成膜と高い生産性を両立するバッチALD(注1)技術や、高い生産性を維持しつつ形成された薄膜の膜質を改善するプラズマトリートメント技術を生かした高付加価値製品の販売拡大や研究開発に注力し、事業拡大を図ってまいります。また、装置のライフサイクル全体にわたって、メンテナンスや修理、部品供給、移設・改造などお客様のニーズに合わせたサービスの拡充を図るとともに、今後の需要拡大に対応するための生産体制及び開発体制の拡充、DXを活用した生産効率向上にも注力してまいります。 ESGの取り組みでは、設定した5つのマテリアリティに基づき、社会課題及び環境課題に向けた活動を推進してまいります。 また、ディスクロージャーポリシーに則り、ステークホルダーの皆様と積極的に対話を行ってまいります。 (注1)当社グループでは、複数のガスをサイクリックに供給する工程を伴い、原子層レベルで成膜する手法を「ALD」と呼んでいます。 (4)中期計画 当社グループは、2024年6月に中期経営計画を策定し、WFE(Wafer Fab Equipment:半導体製造装置市場)の市場規模および市場成長を前提として中期目標を設定いたしまた。その後、市場環境が大きく変化したことから、2026年5月に見直しを行い、2029年3月期までに当社グループの売上収益3,300億円以上、調整後営業利益率30%以上を達成することを目標としております。…

経営成績・財政状態の概況

抜粋表示 / 原文長 約6979文字

4【経営者による財政状態、経営成績及びキャッシュ・フローの状況の分析】 (1)経営成績等の状況の概要 当社グループ(当社及び連結子会社)の財政状態、経営成績及びキャッシュ・フロー(以下、「経営成績等」という。)の状況の概要は次のとおりであります。 ① 財政状態及び経営成績の状況 a.財政状態 当連結会計年度末の資産合計は、3,597億円となり、前連結会計年度末に比べ181億円増加しました。主な内容として、現金及び現金同等物は下記②キャッシュ・フローの状況に記載のとおり118億円増加しました。有形固定資産は、米国デモセンター設立に伴う投資等により71億円増加しました。一方で、営業債権及びその他の債権は49億円減少、無形資産は償却等により32億円減少しました。 当連結会計年度末の負債合計は、1,404億円となり、前連結会計年度末に比べ50億円減少しました。主な内容として、借入金は返済により114億円、未払法人所得税は支払い等により63億円減少しました。一方で、改造案件に伴う前受金の受領等により、契約負債は124億円増加しました。 当連結会計年度末の資本は2,193億円となり、前連結会計年度末に比べ231億円増加しました。主な内容として、親会社の所有者に帰属する当期利益の計上等により利益剰余金が209億円増加し、自己株式の処分により資本の控除項目である自己株式が20億円減少しました。 b.経営成績 当連結会計年度における世界経済は、緩やかな成長基調にあるものの、欧州や中東における地政学リスクの長期化、中国経済の低迷、新たな輸出規制や関税政策による各国貿易摩擦への影響、物価上昇による消費の下振れ懸念など、依然として先行きに対する不透明感が続いております。 当社グループを取り巻く事業環境は、前期に引き続きAI関連の需要が半導体デバイスメーカーの投資を牽引しており、特に生成AIの活用拡大に伴うデータセンター用サーバー向けの需要が拡大しております。これを受けて、半導体デバイス市場では、生成AI用途の高性能Logic、DRAMを中心にデバイスの世代交代や生産規模拡大に向けた設備投資が高水準で推移し、NANDでも主にデバイスの世代交代に向けた設備投資が進んでおります。一方で、スマートフォンやパソコン等の民生電子機器向け及び自動車・産業機器向けの需要回復は緩やかであり、AI関連とは異なった需要の動きになっております。中長期的には、民生電子機器の需要回復・拡大に加え、AI、IoT、DX等の拡がりによるデータセンターのさらなる拡充やグリーントランスフォーメーションへの投資等により、半導体関連市場は大きな成長が見込まれております。…

セグメント関連

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6.セグメント情報 (1)報告セグメントの概要 当社グループの事業セグメントは、当社の構成単位のうち分離された財務情報が入手可能であり、取締役会が、経営資源の配分の決定及び業績を評価するために、定期的に検討を行う対象となっているものであります。 当社グループは半導体製造装置事業を行っており、事業セグメントは半導体製造装置事業単一となっております。 (2)セグメント収益及び業績に関する情報 当社グループは、半導体製造装置事業による単一セグメントであるため、記載を省略しております。 (3)地域別に関する情報 売上収益及び非流動資産の地域別内訳は以下のとおりであります。 売上収益 (単位:百万円) 前連結会計年度 (自 2024年4月1日 至 2025年3月31日) 当連結会計年度 (自 2025年4月1日 至 2026年3月31日) 日本 19,859 22,796 米国 15,135 7,807 中国 111,901 90,597 台湾 42,002 43,149 韓国 37,966 57,570 その他アジア 9,642 11,581 欧州他 2,428 1,579 海外計 219,074 212,283 合計 238,933 235,079 (注) 売上収益は、販売仕向先の所在地によっております。 非流動資産 (単位:百万円) 前連結会計年度 (2025年3月31日) 当連結会計年度 (2026年3月31日) 日本 154,173 154,349 米国 870 6,393 韓国 6,216 5,366 その他 942 1,078 合計 162,201 167,186 (注) 非流動資産は、資産の所在地によっており、有形固定資産、使用権資産、のれん、無形資産を含んでおります。 (4)主要な顧客に関する情報 外部顧客への売上収益のうち、連結損益計算書の売上収益の10%以上を占める相手先は以下のとおりであります。 (単位:百万円) 前連結会計年度 (自 2024年4月1日 至 2025年3月31日) 当連結会計年度 (自 2025年4月1日 至 2026年3月31日) Samsung Electronics Co., Ltd. 31,806 51,258 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. 30,827 31,495 CXMT Corporation 48,759 (注) (注) 当連結会計年度において連結売上収益の10%未満であるため、記載を省略しております。 7.営業債権及びその他の債権 営業債権及びその他の債権の内訳は以下のとおりであります。…

リスクに関する有報本文

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事業等のリスクの原文を表示

事業等のリスク

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3【事業等のリスク】 本書に記載した事業の状況、経理の状況等に関する事項のうち、経営者が当社グループの財政状態、経営成績及びキャッシュ・フローの状況に重要な影響を与える可能性があると認識している主なリスク、リスク顕在化の可能性、顕在化の時期、連結業績への影響度及びリスクへの対応は、以下のとおりです。 なお、文中の将来に関する事項は、本書提出日現在において当社が判断したものであり、将来において発生の可能性がある全てのリスクを網羅するものではありません。 リスク項目マップ 分類 リスク項目 顕在化の 可能性 顕在化の 時期 影響度 政治・経済の動向 マクロ経済環境 中期~長期 市場環境の動向 市場ニーズ 中期~長期 他社との競合等 中期~長期 主要顧客への依存 中期~長期 海外事業 中期~長期 研究開発 長期 株式市場の動向 Kohlberg Kravis Roberts & Co. L.P.グループとの関係 短期 災害・パンデミック、 事件・事故 大規模災害等 長期 感染症の世界的流行 長期 サプライチェーン 調達・生産 中期~長期 品質問題 製造物・品質 中期 知的財産 知的財産 中期~長期 訴訟 訴訟等 中期~長期 環境 環境対応 中期~長期 人事管理 人材 短期~中期 コンプライアンス コンプライアンス等 中期 情報セキュリティ 情報セキュリティ 中期~長期 財務・税務 為替 特定時期 なし 金利の変動 特定時期 なし のれん及びその他の無形資産 特定時期 なし (1)マクロ経済環境 (顕在化の可能性:中、顕在化の時期:中期~長期、影響度:大) 当社グループはグローバルに事業を展開しており、当社グループの業績は国内外の景気、経済動向、社会情勢及び地政学的リスク、各国の関税政策等に影響されます。例えば、半導体デバイスの急激な需要の増減や需給バランスの悪化によって、半導体デバイスメーカーの設備投資計画に大きな変更が生じれば、当社グループの調達、製造コスト、販売の計画に影響が生じる可能性があります。また、国際的な貿易摩擦や製品の国産化施策に伴う関税、貿易障壁、国産メーカー支援強化等の政策により、当社グループにおける製造コストの上昇、国を跨いだ輸送の遅延、販売機会の変化等が生じる可能性があります。また、ロシア・ウクライナ問題の長期化、世界的なインフレの長期化、インフレ抑制のための金利上昇、新興国の成長鈍化、中台関係の悪化、中東及び北朝鮮での地政学的リスクの増大等により世界経済が低迷する場合、当社グループの主要な販売地域にも影響を及ぼす可能性があります。加えて、「(10)感染症の世界的流行」に記載のとおり、感染症の世界的な感染拡大等が再度発生した場合、消費者行動及び事業活動を含む世界全体の経済活動に影響が生じる可能性があります。…

投資・研究開発に関する有報本文

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研究開発・設備投資などの有報本文を表示

サステナビリティ

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2【サステナビリティに関する考え方及び取組】 文中の将来に関する事項は、本書提出日現在において当社グループが判断したものであります。 当社グループは、事業活動を通じて社会の信頼・期待に応えていくことが企業の社会的責任であると考えております。 当社グループのサステナビリティ経営は、この社会的責任を強く自覚した上で、事業活動とESGの取り組み(環境・社会課題の解決、ガバナンスの強化)の両側面から経済価値及び環境・社会価値を追求することにより、SDGsの達成に寄与するとともに、持続可能な社会の実現と当社グループの持続的な発展の両立をめざすものです。 当社グループでは、企業理念(KOKUSAI ELECTRIC Way)、マテリアリティ(重要取り組み課題)の特定、専門会議体の運営、国際的イニシアティブへの参画など強固なサステナビリティ経営基盤により、さまざまな活動を推進しております。 (1)ガバナンス 当社はサステナビリティ活動を牽引する専門の会議体として、社長執行役員を委員長としたサステナビリティ委員会を取締役会の下部組織として設置し、半期に1回開催しております。サステナビリティ委員会は、さまざまな社会課題、事業課題に対応するために必要な専門性をもった委員で構成しております。委員会の審議事項は、マテリアリティ、外部の要求事項等を考慮しながら決定しており、サステナビリティ関連方針の検討、マテリアリティから具体化するESGの各重点テーマに対する目標設定やその進捗管理、また、ビジネスリスク・マネジメントなどについて幅広く審議しております。委員会を中心としたサステナビリティ活動の状況は、社内に周知するとともに、四半期に1回、取締役会に報告しております。 (2)戦略 当社グループでは、SDGs達成への貢献と当社グループの持続的な発展の両立をめざすため、重点的に取り組む課題としてマテリアリティを特定しております。国際的に要求されている事項や、当社グループのサステナビリティ経営課題から、マテリアリティ候補を抽出・整理し、ステークホルダーの皆様と当社グループのそれぞれにとって重要度の高い項目をマトリクス評価により絞り込んでおります。これらの重要項目は、取締役会において自社の取り組みや戦略との整合性を確認の上、特定しております。 特定した5つのマテリアリティから、重点テーマ、さらには活動アイテムへと具体化し、KPIを定めて進捗管理しており、その状況はサステナビリティ委員会や取締役会でフォローアップしております。 マテリアリティの特定プロセスや、社内推進活動の状況は、積極的に社内外に公表し、ステークホルダーの皆様との対話を促進していきたいと考えております。…

研究開発活動

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6【研究開発活動】 当社グループで行っている研究開発活動は、 ・現世代品の改善に向けたコンポーネント技術の研究開発 ・次世代のバッチ成膜装置における成膜の研究開発 ・次世代の枚葉装置におけるトリートメント(膜質改善)技術の研究開発 ・次々世代の要素技術及び新製品の研究開発 ・半導体後工程関連技術の研究開発 であります。 これらの活動は、原則として当社のみで行っておりますが、次々世代の研究開発の一部においては、大学や外部機関との協業にて推進しております。また、顧客との間では、当社評価機を貸し出してのデバイス開発も行っております。 また、成膜・トリートメント技術・ソフトウェアの研究開発は、ハード・ソフトウェア開発を担当するシステム開発本部とプロセス開発を担当するプロセス開発本部にて、対応しております。 当社グループを取り巻く半導体デバイス市場では、電子機器の需要拡大やデータセンターの拡充等により一層の成長が期待され、デバイスのさらなる高機能化、高集積化に加え、要素から製品開発までのサイクルタイムの短縮が要求されております。 これらの要求に対し、表面積が一段と増大する三次元積層デバイスに適応する高機能成膜技術やトリートメント・キュア技術の研究・開発を推進しております。 前者の高機能成膜技術は主力製品であるバッチ成膜装置で、より高生産性を可能とするラージバッチ炉、また精密な制御でより高機能な成膜を実現できるミニバッチ炉の技術開発を推進しております。 一方、後者のトリートメント・キュア技術は、枚葉装置でプラズマ等の活性化技術を駆使し、各種アプリケーションの開発を推進しております。 上述のプロセス、プラットフォームの開発に加え、基板を処理する反応炉、温度制御、供給系、排気系などの各種コンポーネントの要素開発では、外部(大学、各種研究機関、及び原料メーカーを始めとするパートナー各社)との協業を一層強化しております。 また、半導体後工程関連技術については、後工程開発拠点である横浜テクノロジーセンタ(略称YTC)を活用して、チップやウェーハの積層技術やパネルプロセスの研究開発を加速してまいります。 外部協業の推進により開発サイクルの短縮を図っておりますが、シミュレーション技術の適用拡大やデバイス測定環境の内製化による分析・解析技術力の向上にて、効率的な開発を実現しております。 研究開発成果について、絶縁膜やメタルプロセスのバッチ装置において、さらなる膜品質向上と高生産性を実現し、メモリーデバイス向けを中心に、PORの維持拡大に貢献することができました。また、各種コンポーネント開発と合わせた次世代向けプラットフォームの開発も加速できており、来期以降の市場展開に向け引き続き開発を継続してまいります。…

設備投資等の概要

抜粋表示 / 原文長 約1554文字

2【主要な設備の状況】 当社グループにおける主要な設備は、次のとおりであります。また、当社グループは半導体製造装置事業の単一セグメントであるため、セグメントごとの記載は省略しております。 (1)提出会社 2026年3月31日現在 事業所名 (所在地) 設備の内容 帳簿価額 従業員数 (人) 建物 及び構築物 (百万円) 機械装置 及び運搬具 (百万円) 土地 (百万円) (面積㎡) その他 (百万円) 合計 (百万円) 富山事業所 (富山県富山市) バッチ成膜装置・枚葉プラズマトリートメント装置用生産設備、開発・評価設備他 6,463 6,733 719 (107,134) 396 14,311 937 砺波事業所 (富山県砺波市) バッチ成膜装置・枚葉プラズマトリートメント装置用生産設備他 17,920 3,321 915 (41,211) 559 22,715 81 横浜テクノロジーセンタ (神奈川県横浜市神奈川区) バッチ成膜装置・枚葉プラズマトリートメント装置用開発・評価設備他 1,091 722 (-) 97 1,911 16 本店 (東京都千代田区) 事務用機器他 206 (-) 1,706 1,912 169 寮/社宅等 (富山県富山市) 福利施設他 313 488 (16,416) 803 (注)1.帳簿価額のうち「その他」は、工具器具及び備品と使用権資産であり、建設仮勘定は含んでおりません。 (2)国内子会社 2026年3月31日現在 会社名 事業所名 (所在地) 設備の内容 帳簿価額 従業員数 (人) 建物 及び構築物 (百万円) 機械装置 及び運搬具 (百万円) 土地 (百万円) (面積㎡) その他 (百万円) 合計 (百万円) 株式会社国際電気セミコンダクターサービス 本店 (富山県富山市) 半導体製造 装置の物流 設備他 210 43 214 (31,776) 696 1,162 210 (注)1.帳簿価額のうち「その他」は、工具器具及び備品と使用権資産であり、建設仮勘定は含んでおりません。…

その他の有報本文

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補足セクションの有報本文を表示

配当政策

抽出本文 / 原文長 約752文字

3【配当政策】 当社は、研究開発投資・設備投資の強化を最優先に、将来の事業展開のために必要な内部留保を確保しつつ、株主の皆様に対する安定的・継続的かつ積極的な利益還元を行うことを経営の重要課題と考え、連結配当性向20%から30%程度を目安に剰余金の配当を行っていくことを予定しております。加えて、ネットキャッシュ(注1)がプラスに転換した後は、さらなる株主利益と資本効率の向上に向け、有利子負債分割償還後フリー・キャッシュ・フロー(注2)の70%程度に相当する金額を配当及び自己株式取得に充当することをめざしてまいります。また自己株式については、消却を原則とし、株式報酬制度等により活用が見込まれる発行済株式総数の1%を上限に保有する方針といたします。 (注1)ネットキャッシュ=現金及び現金同等物-有利子負債 (注2)有利子負債分割償還後フリー・キャッシュ・フロー=営業活動によるキャッシュ・フロー + 投資活動によるキャッシュ・フロー-有利子負債の分割償還額 当社は、毎年3月31日を基準日とした期末配当、毎年9月30日を基準日とした中間配当のほか、基準日を定め剰余金の配当をすることができる旨を定款に定めております。また、会社法第459条第1項各号に定める事項については、法令に特段の定めがある場合を除き、取締役会の決議によって剰余金の配当を行うことができる旨を定款に定めており、剰余金の配当を行う場合は、期末配当及び中間配当の年2回を基本方針としております。 (注) 基準日が当事業年度に属する剰余金の配当は、以下のとおりであります。 決議年月日 配当金の総額(百万円) 1株当たり配当額(円) 2025年11月11日 4,202 18 取締役会 2026年5月13日 4,438 19 取締役会

従業員の状況

抜粋表示 / 原文長 約1347文字

(2)【従業員の状況】 当社グループは半導体製造装置事業の単一セグメントであるため、セグメントごとの記載は省略しております。 (1)連結会社の状況 2026年3月31日現在 従業員数(人) 2,609 (注) 従業員数は就業人員(当社グループからグループ外への出向者を除き、グループ外から当社グループへの出向者を含む。)であり、定年後再雇用社員及び執行役員は従業員数に含めております。 (2)提出会社の状況 2026年3月31日現在 従業員数(人) 平均年齢(歳) 平均勤続年数(年) 平均年間給与(円) 平均年間給与の 対前事業年度増減率 (%) 1,193 44.1 18.0 9,607,105 11.4 (注)1.従業員数は就業人員(当社から社外への出向者を除き、社外から当社への出向者を含む。)であり、定年後再雇用社員は従業員数に含め、執行役員は含めておりません。 2.平均年間給与は、賞与及び基準外賃金を含んでおります。 (3)労働組合の状況 当社の労働組合は、KOKUSAI ELECTRIC労働組合と称し、コクサイグループ労働組合連合会に加盟しており、2026年3月31日現在の組合員数は852人であります。 また、一部連結子会社においても、労働組合が組織されておりますが、当社を含めて労使関係は円満に推移しており、現在、組合と会社との間に特記すべき事項はありません。 (4)管理的地位にある労働者に占める女性労働者の割合、男性労働者の育児休業取得率及び労働者の男女の賃金の額の差異 ① 提出会社 当事業年度 管理的地位にある労働者に占める女性労働者の割合(%) (注1) 男性労働者の育児休業取得率(%) (注2) 労働者の男女の賃金の額の差異(%) (注1) 全労働者 うち正規雇用労働者 うちパート・ 有期労働者 7.0 82.9 78.3 53.7 78.8 (注)1.「女性の職業生活における活躍の推進に関する法律」(平成27年法律第64号)の規定に基づき算出したものであります。同一職務・同一ポジションで比較すると賃金の差異は存在しないことから、当社における全体としての賃金差異は主として男女の従事しているポジションの違いなどの構造的要因によるものと考えています。そのため、上位ポジションへの登用について、改善の余地があると認識しており、女性の従業員数の増加させるとともに、キャリア研修の拡充や女性従業員向けの役員メンター制度等を実施しています。 2.「育児休業、介護休業等育児又は家族介護を行う労働者の福祉に関する法律」(平成3年法律第76号)の規定に基づき、「育児休業、介護休業等育児又は家族介護を行う労働者の福祉に関する法律施行規則」(平成3年労働省令第25号)第71条の6第1号における育児休業等の取得割合を算出したものであります。…

コーポレート・ガバナンス

抜粋表示 / 原文長 約9354文字

(1)【コーポレート・ガバナンスの概要】 ① コーポレート・ガバナンスに関する基本的な考え方 当社は、経営の効率化を図るとともに、経営の健全性及び透明性を高めていくことが長期的に企業価値を向上させ、株主をはじめとしたステークホルダーの皆さまの利益につながるものと考えております。 このような認識の下、当社は今後もコーポレート・ガバナンスのさらなる強化に努めてまいります。 ② 企業統治の体制の概要及び当該体制を採用する理由 a.企業統治の体制の概要 当社は、業務執行者に対する監督機能を強化することを目的とし監査等委員会設置会社を選択しております。経営と執行を分離し、取締役会は、執行役員の選任を含む重要な業務執行の決定により経営全般に対する監督機能を有し、監査等委員会が、執行、経営に対して適法性、妥当性の監査を行うことにより、持続的な企業価値の向上を実現できると考えております。 (取締役会) 取締役会は、提出日(2026年6月25日)現在、塚田和徳(代表取締役社長執行役員)を議長とし、柳川秀宏(取締役専務執行役員)、中村正樹(取締役)、鶴田雅明(社外取締役)、佐々木摩美(社外取締役)、阿部剛士(社外取締役)、神谷勇二(監査等委員)、熊谷均(監査等委員、社外取締役)酒井紀子(監査等委員、社外取締役)及び関根千津(監査等委員、社外取締役)の10名の取締役で構成され、原則として毎月1回開催するとともに、必要に応じて随時開催しております。取締役会では、法令及び定款に定められた事項並びに重要な業務執行に関する事項を審議・決定するとともに、執行役員による職務執行を含め経営全般に対する監督を行っております。取締役会は、より広い見地からの意思決定と客観的な業務執行の監督を行うため、10名の取締役のうち6名を社外取締役としております。当事業年度において当社は取締役会を19回開催しております。 2025年4月1日から2026年3月31日までの間に開催された取締役会の出席状況は次のとおりです。…

重要な契約等

抽出本文 / 原文長 約436文字

5【重要な契約等】 (1)借入契約 当社は2025年3月27日付で、既存借入金のリファイナンスを目的として、株式会社三井住友銀行をエージェントとする金銭消費貸借契約を締結し、借入を実行しております。 主な契約内容は以下のとおりであります。詳細は、「第5 経理の状況 1 連結財務諸表等 (1) 連結財務諸表 連結財務諸表注記 13. 借入金」をご参照ください。 1 契約の相手先 株式会社三井住友銀行、株式会社三菱UFJ銀行、株式会社みずほ銀行、三井住友信託銀行株式会社及び株式会社日本政策投資銀行 2 借入金額 総額60,000百万円(2026年3月末残高48,000百万円) 3 借入枠 コミットメントライン 30,000百万円 4 返済期限 2025年9月末より6ヶ月ごとに返済(最終返済日2030年3月29日) 5 金利 基準金利(全銀協 TIBOR 運営機関が公表する日本円TIBOR)+スプレッド 6 担保の有無 無し 7 主な借入人の義務 財務制限条項の遵守

大株主の状況

抜粋表示 / 原文長 約1688文字

(6)【大株主の状況】 2026年3月31日現在 氏名又は名称 住所 所有株式数 (千株) 発行済株式(自己株式を除く。)の総数に対する所有株式数の割合(%) 日本マスタートラスト信託銀行株式会社(信託口) 東京都港区赤坂1丁目8番1号赤坂インターシティAIR 30,919 13.23 KKR HKE INVESTMENT L.P. (常任代理人 株式会社三菱UFJ銀行) PO BOX 309, UGLAND HOUSE, GRAND CAYMAN, KY1-1104, CAYMAN ISLANDS (東京都千代田区丸の内1丁目4番5号) 24,692 10.57 STATE STREET BANK AND TRUST COMPANY 505001 (常任代理人 株式会社みずほ銀行) ONE CONGRESS STREET, SUITE 1, BOSTON, MASSACHUSETTS (東京都港区2丁目15-1 品川インターシティA棟) 23,347 9.99 BNYM AS AGT/CLTS 10 PERCENT (常任代理人 株式会社三菱UFJ銀行) 240 GREENWICH STREET, NEW YORK, NEW YORK 10286 U.S.A. (東京都千代田区丸の内1丁目4番5号) 12,099 5.18 Qatar Holding LLC c/o Qatar Investment Authority, Ooredoo Tower(Building 14), Al Dafna Street(Street 801), Al Dafna(Zone 61), Doha, Qatar 11,520 4.93 株式会社日本カストディ銀行(信託口) 東京都中央区晴海1丁目8-12 11,326 4.85 THE CHASE MANHATTAN BANK, N.A. LONDONSECS LENDING OMNIBUS ACCOUNT (常任代理人 株式会社みずほ銀行)) WOOLGATE HOUSE, COLEMAN STREET LONDON EC2P 2HD, ENGLAND (東京都港区2丁目15-1 品川インターシティA棟) 6,858 2.94 JPMSPLC CLIENT ASSETS SK JPY (常任代理人 シティバンク、エヌ・エイ) 25 BANK STREET, CANARY WHARF LONDON E14 5JP UK (東京都新宿区新宿6丁目27番30号) 6,090 2.61 JPモルガン証券株式会社 東京都千代田区丸の内2丁目7-3 4,881 2.…

出典

データ元
EDINET 有価証券報告書
docID
S100YJUA 外部サイト(EDINET公式サイト)を開きます

技術情報

分析バージョン
2026Q2
使用モデル
gemma4:12b

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