富士電機株式会社

有報ナビによる整理

エネルギー、半導体、食品流通など多角的な事業ポートフォリオを持ち、強固な財務基盤（低い有利子負債比率と高い自己資本比率）を有しています。半導体分野の投資回収リスクや地政学的リスクなどの外部要因は存在するものの、明確な中期経営計画に基づいた成長戦略が推進されており、安定した経営体制が構築されています。

有報ナビによる整理

「利益重視経営」を軸とした中期経営計画のもと、エネルギー、半導体等の成長分野へ戦略的に資源を集中。具体的な財務目標を掲げつつ、技術革新（SiC、AI等）と生産体制の高度化を通じて企業価値の向上を目指す。

成長方針

エネルギー（脱炭素・電力安定）、インダストリー（FA連携・インド展開）、半導体（SiCチップ・生産能力増強）、食品流通（DX推進）の各セグメントにおいて、市場動向に応じた技術革新と生産体制の最適化により成長を追求する。

資本政策

「利益重視経営」を基本方針とし、ROE12%以上、ROIC10%以上の達成を目指す。配当性向は30%を目安とし、設備投資については事業拡大や新製品開発に向けた生産能力増強に重点的に配分する。

リスク対応方針

為替予約による為替リスク低減、供給網の分散化による地政学リスクへの対応、サイバーセキュリティ対策の強化、コンプライアンスプログラムの整備など、多角的な管理体制で事業継続性を確保する。

有報ナビによる整理

同社は、パワー半導体およびエネルギー管理を中核とし、次世代材料（SiC, GaN）やクリーンエネルギー技術へ重点的な投資を行っている。EVや再生可能エネルギーの潮流に合わせた生産能力の増強とR&Dの加速が明確であり、DXを基盤とした競争力強化に向けた戦略的な投資姿勢が非常に強い。

設備投資の方向性

半導体分野におけるSiおよびSiCチップの生産能力増強に向けた設備投資を最優先事項として推進。また、エネルギー分野での自動化ライン導入や、インダストリー分野でのDX・オートメーション推進のための設備更新に重点を置いている。

研究開発・商品開発

次世代パワー半導体（GaN等）の材料開発、水素・アンモニア等のクリーンエネルギー関連技術の獲得、および生成AIを活用した設計・ソフトウェア開発の効率化に注力。特にEV市場や再生可能エネルギー分野での競争力を高めるための高度な技術投資を継続している。

投資・変化テーマ

• パワー半導体（SiC/GaN）
• 脱炭素・GX推進
• エネルギーマネジメントシステム
• 生成AIによる設計・開発の高度化
• 自動化・DXソリューション

関連キーワード

• SiC（シリコンカーバイド）
• GaN（窒化ガリウム）
• パワーエレクトロニクス
• 水素・アンモニア技術
• ジェネレーティブデザイン
• 高度制御アルゴリズム

損益

財政状態

キャッシュフロー

主な比率

参考比率