株式会社三社電機製作所

証券コード: 6882.T / 対象年度: 2026 / 提出日: 2026-06-22
年度切替

このページは、EDINETに提出された有価証券報告書をもとに、 企業のリスク認識・投資領域・経営方針を自動整理したものです。

β版のため、一部の表現に機械的な要約や不自然な記述が含まれる場合があります。 投資判断ではなく、企業理解の入口としてご利用ください。

詳細整理

以下は、有価証券報告書の記載内容をもとに、リスク、経営方針、 投資・研究開発に関する情報を整理したものです。

各スコアは、有価証券報告書の記載内容を整理するための参考指標です。 5段階表示で、スコアが高いほど各項目の性質が強く出ていることを表します。 ただし、投資判断、企業価値、将来業績を評価・予測するものではありません。

特に「リスク開示注意度」は、高いほど良いという意味ではありません。 有報上で注意して読むべきリスク記述が多い、具体的、または重い可能性があるという意味です。

スコアの詳しい見方
リスク開示注意度
スコアが高いほど、有価証券報告書に記載されたリスク開示について、 注意して読むべき記述の多さ・具体性・重さが強いことを表します。 企業そのものの危険度や倒産リスクを示すものではありません。
方針具体度
スコアが高いほど、経営方針、対処すべき課題、資本政策、 リスク対応などが具体的に記載されていることを表します。 方針の良し悪しや実現可能性を判定するものではありません。
投資・変化姿勢
スコアが高いほど、設備投資、研究開発、新規事業、DX、海外展開、 事業構造の変化など、将来に向けた取り組みの記載が強いことを表します。 成長性や投資成果を予測するものではありません。
財務スコア(計算)
スコアが高いほど、有価証券報告書XBRLから取得できた主要財務指標に基づく 参考上の安定性・収益性などが相対的に良好に見えることを表します。 XBRLからの機械抽出値をもとに計算しており、 企業の財務力を完全に評価するものではありません。

リスク開示の整理

リスク開示注意度: 2 / 5

有報ナビによる整理

同社は半導体および電源機器の製造販売を行う企業であり、特に次世代パワー半導体(SiC)やデータセンター向け電源など成長性の高い分野に注力しています。財務面では自己資本比率が非常に高く、キャッシュフローも安定しており、強固な経営基盤を有しています。半導体セグメントは投資および在庫調整の影響で一時的な赤字を計上していますが、中長期的な戦略に基づいた前向きな事業展開が見て取れます。

経営方針・課題の整理

方針具体度: 4 / 5

有報ナビによる整理

パワーエレクトロニクス分野で強固な技術基盤を持ち、特にSiC半導体とインフラ向け電源機器を成長の柱に据えている。カーボンニュートラルやAI需要拡大といったマクロトレンドに合致した戦略を有し、高度な技術開発と効率的な資本運用を通じて競争優位性の確立を目指す。

成長方針

SiC(シリコンカーバイド)を中心とした次世代半導体への注力、データセンターや再生可能エネルギー等のインフラ市場への展開、設計の標準化による生産性向上、およびメンテナンスを含むサービス事業の拡充。

資本政策

投資効率の向上(ROE、ROAの目標達成)と株主還元の充実を柱とし、事業運営に必要な流動性の確保と資本コストを上回る収益性の追求を目指す。

リスク対応方針

サプライチェーンの多重化による部品調達リスクの低減、価格転嫁による原材料高騰への対応、BCP(事業継続計画)の策定、コンプライアンス体制の強化、およびDX推進による生産性向上と人材確保の両立。

投資・研究開発・成長施策の整理

投資・変化姿勢: 4 / 5

有報ナビによる整理

同社は、カーボンニュートラルやAI普及に伴う電力需要増を背景に、成長性の高いSiC半導体とデータセンター向け電源機器の二本柱で攻勢をかけています。研究開発においては次世代材料への対応と高度な制御技術の追求を両立しており、DXによる生産性向上も経営課題として取り組んでいます。

設備投資の方向性

SiC半導体および電源機器の生産能力拡大、新製品開発に向けた設備投資、ならびに情報インフラへの投資を通じたDX推進による生産性向上に重点を置いている。

研究開発・商品開発

次世代パワー半導体(SiC)のラインアップ拡充と高信頼化、および脱炭素社会を見据えた水素・蓄電池用電源などの大型電力変換システムの開発に多額の資源を投入している。

投資・変化テーマ

  • SiC(シリコンカーバイド)半導体
  • 再生可能エネルギー・蓄電池用電源
  • データセンター向け高密度電源
  • 水素エネルギー関連技術
  • DXによる生産性向上

関連キーワード

  • SiC MOSFET
  • パワーモジュール
  • 電力変換技術
  • 高耐圧・高効率化
  • リードフリー化
  • 仮想同期発電機制御(VSG)

財務指標の簡易整理

金額項目は有価証券報告書XBRLから機械抽出した値です。 比率・スコアには抽出値をもとに計算した参考値が含まれます。 計算値は「計算」と明記しています。

財務スコア(計算): 5 / 5

抽出・計算条件

スコア信頼性: 標準 利益率信頼性: 高 対象: 連結 会計基準: IFRSまたはIFRS類似

損益

項目 区分
売上高 266.5 億円 抽出
営業利益 13.9 億円 抽出
経常利益 11.4 億円 抽出
税引前利益 8.9 億円 抽出
当期純利益 3.8 億円 抽出

財政状態

項目 区分
総資産 327.2 億円 抽出
純資産 249.2 億円 抽出
自己資本 221.8 億円 抽出
現金等 67.6 億円 抽出
有利子負債 22.0 億円 計算 / 複数XBRLタグの合算値

キャッシュフロー

項目 区分
営業CF 33.7 億円 抽出
投資CF -13.2 億円 抽出
財務CF -13.3 億円 抽出

主な比率

項目 区分
自己資本比率 76.20% 抽出(有報掲載値) / 有報掲載値を優先
純資産比率 76.17% 計算 / 純資産 / 総資産
営業利益率 5.20% 計算 / 営業利益 / 売上高
純利益率 1.43% 計算 / 当期純利益 / 売上高
ROE 1.72% 計算 / 当期純利益 / 自己資本
ROA 1.16% 計算 / 当期純利益 / 総資産
営業CFマージン 12.64% 計算 / 営業CF / 売上高
有利子負債比率 6.72% 計算 / 有利子負債 / 総資産
現金等比率 20.66% 計算 / 現金等 / 総資産

参考比率

項目 区分
自己資本比率(有報掲載) 76.20% 抽出(有報掲載値)
自己資本比率(計算参考) 67.79% 計算
純資産比率(計算参考) 76.17% 計算

この企業の分析履歴

分析タイムラインを見る

この企業について、有報ナビで確認できる年度別の分析一覧です。 年度を選択すると、その年度の分析ページに切り替わります。

年度 提出日 docID 表示
2026 表示中 2026-06-22 S100YFP9 この年度を見る
2025 2025-06-24 S100W3CS この年度を見る
最新年度と比較

※ 過去年度の分析は、当時提出された有価証券報告書をもとにした履歴情報です。 現在の企業状況とは異なる場合があります。

出典

データ元
EDINET 有価証券報告書
docID
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技術情報

分析バージョン
2026Q2
使用モデル
gemma4:12b

このページについて

本ページは、有価証券報告書の内容をもとに自動生成した企業理解用のページです。 内容の正確性・完全性を保証するものではありません。

投資判断を行う場合は、必ずEDINETの原文、有価証券報告書、決算短信、 会社公表資料などをご確認ください。

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