株式会社オキサイド

証券コード: 6521.T / 対象年度: 2026 / 提出日: 2026-05-22
年度切替

このページは、EDINETに提出された有価証券報告書をもとに、 企業のリスク認識・投資領域・経営方針を自動整理したものです。

β版のため、一部の表現に機械的な要約や不自然な記述が含まれる場合があります。 投資判断ではなく、企業理解の入口としてご利用ください。

詳細整理

以下は、有価証券報告書の記載内容をもとに、リスク、経営方針、 投資・研究開発に関する情報を整理したものです。

各スコアは、有価証券報告書の記載内容を整理するための参考指標です。 5段階表示で、スコアが高いほど各項目の性質が強く出ていることを表します。 ただし、投資判断、企業価値、将来業績を評価・予測するものではありません。

特に「リスク開示注意度」は、高いほど良いという意味ではありません。 有報上で注意して読むべきリスク記述が多い、具体的、または重い可能性があるという意味です。

スコアの詳しい見方
リスク開示注意度
スコアが高いほど、有価証券報告書に記載されたリスク開示について、 注意して読むべき記述の多さ・具体性・重さが強いことを表します。 企業そのものの危険度や倒産リスクを示すものではありません。
方針具体度
スコアが高いほど、経営方針、対処すべき課題、資本政策、 リスク対応などが具体的に記載されていることを表します。 方針の良し悪しや実現可能性を判定するものではありません。
投資・変化姿勢
スコアが高いほど、設備投資、研究開発、新規事業、DX、海外展開、 事業構造の変化など、将来に向けた取り組みの記載が強いことを表します。 成長性や投資成果を予測するものではありません。
財務スコア(計算)
スコアが高いほど、有価証券報告書XBRLから取得できた主要財務指標に基づく 参考上の安定性・収益性などが相対的に良好に見えることを表します。 XBRLからの機械抽出値をもとに計算しており、 企業の財務力を完全に評価するものではありません。

リスク開示の整理

リスク開示注意度: 3 / 5

有報ナビによる整理

同社は単結晶およびレーザ技術において高い専門性を有し、半導体、ヘルスケア、新領域の3分野で成長を遂めています。特にメンテナンス需要による安定的な収益構造と強固な研究開発体制が強みです。一方で、売上の66%をわずか6社に依存していることや、海外(特に中国・米国)への高い輸出比率に伴う地政学的リスク、特定の原材料調達における供給網の脆弱性が主要な懸念事項です。

経営方針・課題の整理

方針具体度: 4 / 5

有報ナビによる整理

高度な単結晶技術を核とした光学技術のグローバルニッチトップを目指す企業。研究開発から量産・事業化へ繋げる独自のビジネスモデルを持ち、次世代半導体や医療機器、量子通信といった成長分野で高い競争優位性を有する。特定顧客への依存リスクに対し、多角的な製品展開と積極的なリスク管理(拠点の売却等)で対応しており、強固な技術基盤と明確な数値目標に基づいた成長戦略が特徴。

成長方針

「新領域」で育成した技術を「半導体」「ヘルスケア」へ展開する独自のビジネスモデル。SiC/GaN等の次世代パワー半導体材料、量子通信・計算向けレーザ、PET診断用シンチレータなど、高付加価値なニッチ分野でのシェア拡大と量産化を目指す。

資本政策

自己資金、金融機関からの短期・長期借入、私募社債の活用により流動性を確保。金利上昇リスクへの対応として固定金利への切り替えを優先しつつ、設備投資や研究開発に向けた安定的な資金調達体制を構築。

リスク対応方針

特定顧客への高い依存度に対し、事業ポートフォリオの多角化(半導体、ヘルスケア、量子等)による分散を実施。地政学リスクに対しては、問題のある拠点の売却による解消を断行。原材料価格や供給網のリスクには、マルチベンダー化、在庫積み増し、内製化で対応。

投資・研究開発・成長施策の整理

投資・変化姿勢: 4 / 5

有報ナビによる整理

単結晶とレーザのコア技術を基盤に、半導体、医療、量子通信といった高成長・先端技術領域へ戦略的に投資。研究開発型企業として独自の競争優位性を確立しており、次世代インフラや高度な診断技術への貢献を目指す。

設備投資の方向性

生産設備の増強、研究開発機能の充実・強化、およびITインフラ整備に向けた投資を継続。特に次世代半導体材料や量子技術などの成長分野への対応に向けた設備拡充に注力。

研究開発・商品開発

基盤技術(単結晶成長、レーザ高出力化等)と製品開発の両輪で推進。SiC/GaN等のパワー半導体向け材料、量子通信用モジュール、超短波長レーザなど、最先端分野への投資を強化しており、高度な専門知識を持つ技術者集団による研究開発型体制が強み。

投資・変化テーマ

  • パワー半導体(SiC、GaN)
  • 量子通信・量子コンピューティング
  • ヘルスケア(PET検査用シンチレータ)
  • 次世代レーザ光源(短波長化・高出力化)

関連キーワード

  • 単結晶技術
  • レーザ光源
  • シンチレータ
  • 非線形光学
  • SiCウエハ
  • GaN基盤
  • 量子もつれ光子対
  • 溶液法

財務指標の簡易整理

金額項目は有価証券報告書XBRLから機械抽出した値です。 比率・スコアには抽出値をもとに計算した参考値が含まれます。 計算値は「計算」と明記しています。

財務スコア(計算): 2 / 5

抽出・計算条件

スコア信頼性: 標準 利益率信頼性: 高 対象: 連結 会計基準: IFRSまたはIFRS類似

損益

項目 区分
売上高 100.4 億円 抽出
営業利益 5.4 億円 抽出
経常利益 6.7 億円 抽出
税引前利益 -10.5 億円 抽出
当期純利益 -5.4 億円 抽出

財政状態

項目 区分
総資産 147.7 億円 抽出
純資産 46.9 億円 抽出
自己資本 46.9 億円 抽出
現金等 22.9 億円 抽出
有利子負債 75.4 億円 計算 / 複数XBRLタグの合算値

キャッシュフロー

項目 区分
営業CF 28.5 億円 抽出
投資CF -6.8 億円 抽出
財務CF -22.5 億円 抽出

主な比率

項目 区分
自己資本比率 31.80% 抽出(有報掲載値) / 有報掲載値を優先
純資産比率 31.78% 計算 / 純資産 / 総資産
営業利益率 5.41% 計算 / 営業利益 / 売上高
純利益率 -5.36% 計算 / 当期純利益 / 売上高
ROE -11.46% 計算 / 当期純利益 / 自己資本
ROA -3.64% 計算 / 当期純利益 / 総資産
営業CFマージン 28.35% 計算 / 営業CF / 売上高
有利子負債比率 51.06% 計算 / 有利子負債 / 総資産
現金等比率 15.48% 計算 / 現金等 / 総資産

参考比率

項目 区分
自己資本比率(有報掲載) 31.80% 抽出(有報掲載値)
自己資本比率(計算参考) 31.77% 計算
純資産比率(計算参考) 31.78% 計算

注意フラグ

  • 純損失

この企業の分析履歴

分析タイムラインを見る

この企業について、有報ナビで確認できる年度別の分析一覧です。 年度を選択すると、その年度の分析ページに切り替わります。

年度 提出日 docID 表示
2026 表示中 2026-05-22 S100Y5QW この年度を見る
2025 2025-05-29 S100VU8P この年度を見る
最新年度と比較

※ 過去年度の分析は、当時提出された有価証券報告書をもとにした履歴情報です。 現在の企業状況とは異なる場合があります。

出典

データ元
EDINET 有価証券報告書
docID
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技術情報

分析バージョン
2026Q2
使用モデル
gemma4:12b

このページについて

本ページは、有価証券報告書の内容をもとに自動生成した企業理解用のページです。 内容の正確性・完全性を保証するものではありません。

投資判断を行う場合は、必ずEDINETの原文、有価証券報告書、決算短信、 会社公表資料などをご確認ください。

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