提出日
2025-05-29
2026-05-22
同じ企業の2つの年度について、有価証券報告書に記載された内容の整理結果を並べて確認できます。
| 項目 | 2025年度 | 2026年度 |
|---|---|---|
| 提出日 | 2025-05-29 | 2026-05-22 |
| docID | S100VU8P | S100Y5QW |
| リスク開示の整理 | 同社は単結晶およびレーザ光源のグローバルニッチトップ企業であり、特に半導体やヘルスケア分野で強固な技術基盤を有しています。しかし、売上の約65%をわずか6社に依存していること、また海外売上比率が高く(80%超)、地政学的リスクや特定の原材料調達における中国への依存など、外部環境の変化に対する脆弱性が課題となります。直近の純損失はのれん減損によるものであり、営業キャッシュフローはプラスに転換しています。 | 同社は単結晶およびレーザ技術において高い専門性を有し、半導体、ヘルスケア、新領域の3分野で成長を遂めています。特にメンテナンス需要による安定的な収益構造と強固な研究開発体制が強みです。一方で、売上の66%をわずか6社に依存していることや、海外(特に中国・米国)への高い輸出比率に伴う地政学的リスク、特定の原材料調達における供給網の脆弱性が主要な懸念事項です。 |
| 投資・研究開発・成長施策の整理 | 同社は単結晶およびレーザ光源技術を核としたグローバルニッチトップ企業であり、高度な専門知識を持つ人材による研究開発が競争力の源泉。パワー半導体(SiC/GaN)や量子通信といった最先端分野への積極的な投資と製品展開を行っており、技術の深掘りと新領域への応用を両立させる戦略をとる。特定顧客への依存や地政学的リスク等の課題はあるものの、強固な技術基盤と成長市場への適応力が高い。 | 単結晶とレーザのコア技術を基盤に、半導体、医療、量子通信といった高成長・先端技術領域へ戦略的に投資。研究開発型企業として独自の競争優位性を確立しており、次世代インフラや高度な診断技術への貢献を目指す。 |
| 経営方針・課題の整理 | 単結晶およびレーザ技術を核とした高度な光学ソリューションを提供。半導体、ヘルスケア、量子といった成長分野へ戦略的に展開しており、R&D主導のモデルで強固な競争優位性を構築している。特定顧客への依存や地政学的リスクに対しては、多角的な供給網確保や新規開拓などの具体的対策を講じている。 | 高度な単結晶技術を核とした光学技術のグローバルニッチトップを目指す企業。研究開発から量産・事業化へ繋げる独自のビジネスモデルを持ち、次世代半導体や医療機器、量子通信といった成長分野で高い競争優位性を有する。特定顧客への依存リスクに対し、多角的な製品展開と積極的なリスク管理(拠点の売却等)で対応しており、強固な技術基盤と明確な数値目標に基づいた成長戦略が特徴。 |
2025-05-29
2026-05-22
S100VU8P
S100Y5QW
同社は単結晶およびレーザ光源のグローバルニッチトップ企業であり、特に半導体やヘルスケア分野で強固な技術基盤を有しています。しかし、売上の約65%をわずか6社に依存していること、また海外売上比率が高く(80%超)、地政学的リスクや特定の原材料調達における中国への依存など、外部環境の変化に対する脆弱性が課題となります。直近の純損失はのれん減損によるものであり、営業キャッシュフローはプラスに転換しています。
同社は単結晶およびレーザ技術において高い専門性を有し、半導体、ヘルスケア、新領域の3分野で成長を遂めています。特にメンテナンス需要による安定的な収益構造と強固な研究開発体制が強みです。一方で、売上の66%をわずか6社に依存していることや、海外(特に中国・米国)への高い輸出比率に伴う地政学的リスク、特定の原材料調達における供給網の脆弱性が主要な懸念事項です。
同社は単結晶およびレーザ光源技術を核としたグローバルニッチトップ企業であり、高度な専門知識を持つ人材による研究開発が競争力の源泉。パワー半導体(SiC/GaN)や量子通信といった最先端分野への積極的な投資と製品展開を行っており、技術の深掘りと新領域への応用を両立させる戦略をとる。特定顧客への依存や地政学的リスク等の課題はあるものの、強固な技術基盤と成長市場への適応力が高い。
単結晶とレーザのコア技術を基盤に、半導体、医療、量子通信といった高成長・先端技術領域へ戦略的に投資。研究開発型企業として独自の競争優位性を確立しており、次世代インフラや高度な診断技術への貢献を目指す。
単結晶およびレーザ技術を核とした高度な光学ソリューションを提供。半導体、ヘルスケア、量子といった成長分野へ戦略的に展開しており、R&D主導のモデルで強固な競争優位性を構築している。特定顧客への依存や地政学的リスクに対しては、多角的な供給網確保や新規開拓などの具体的対策を講じている。
高度な単結晶技術を核とした光学技術のグローバルニッチトップを目指す企業。研究開発から量産・事業化へ繋げる独自のビジネスモデルを持ち、次世代半導体や医療機器、量子通信といった成長分野で高い競争優位性を有する。特定顧客への依存リスクに対し、多角的な製品展開と積極的なリスク管理(拠点の売却等)で対応しており、強固な技術基盤と明確な数値目標に基づいた成長戦略が特徴。
※ この比較は、各年度の有価証券報告書分析を横並びで表示するものです。 企業評価・投資判断・将来予測を行うものではありません。
金額項目は有価証券報告書XBRLから機械抽出した値です。 比率・スコアには抽出値をもとに計算した参考値が含まれます。 計算値は「計算」と明記しています。
| 項目 | 2025年度 | 2026年度 |
|---|---|---|
| 財務スコア |
2 / 5
計算
|
2 / 5
計算
|
| スコア信頼性 |
標準
抽出条件
|
標準
抽出条件
|
| 対象区分 |
通常企業
抽出条件
|
通常企業
抽出条件
|
| 会計基準 |
IFRS系
抽出条件
|
IFRS系
抽出条件
|
| 連結/単体 |
連結
抽出条件
|
連結
抽出条件
|
| 売上高 |
83.9億円
抽出
|
100.4億円
抽出
|
| 営業利益 |
1.3億円
抽出
|
5.4億円
抽出
|
| 経常利益 |
2.3億円
抽出
|
6.7億円
抽出
|
| 当期純利益 |
-27.0億円
抽出
|
-5.4億円
抽出
|
| 営業CF |
8.9億円
抽出
|
28.5億円
抽出
|
| 投資CF |
-15.4億円
抽出
|
-6.8億円
抽出
|
| 財務CF |
12.8億円
抽出
|
-22.5億円
抽出
|
| 総資産 |
182.1億円
抽出
|
147.7億円
抽出
|
| 純資産 |
54.1億円
抽出
|
46.9億円
抽出
|
| 自己資本 |
50.2億円
抽出
|
46.9億円
抽出
|
| 現金等 |
22.4億円
抽出
|
22.9億円
抽出
|
| 有利子負債 |
103.7億円
計算
|
75.4億円
計算
|
| 自己資本比率 |
29.7%
抽出(有報掲載値優先)
|
31.8%
抽出(有報掲載値優先)
|
| 純資産比率 |
29.7%
計算
|
31.8%
計算
|
| 営業利益率 |
1.5%
計算
|
5.4%
計算
|
| 純利益率 |
-32.2%
計算
|
-5.4%
計算
|
| ROE |
-53.9%
計算
|
-11.5%
計算
|
| ROA |
-14.8%
計算
|
-3.6%
計算
|
| 営業CFマージン |
10.5%
計算
|
28.4%
計算
|
| 有利子負債比率 |
57.0%
計算
|
51.1%
計算
|
| 現金等比率 |
12.3%
計算
|
15.5%
計算
|
| 利益率信頼性 |
高
抽出条件
|
高
抽出条件
|