ウシオ電機株式会社

証券コード: 6925.T / 対象年度: 2025 / 提出日: 2025-06-26

現在、過去年度の有価証券報告書に基づく分析を表示しています。

このページは、EDINETに提出された有価証券報告書をもとに、 企業のリスク認識・投資領域・経営方針を自動整理したものです。

β版のため、一部の表現に機械的な要約や不自然な記述が含まれる場合があります。 投資判断ではなく、企業理解の入口としてご利用ください。

詳細整理

以下は、有価証券報告書の記載内容をもとに、リスク、経営方針、 投資・研究開発に関する情報を整理したものです。

各スコアは、有価証券報告書の記載内容を整理するための参考指標です。 5段階表示で、スコアが高いほど各項目の性質が強く出ていることを表します。 ただし、投資判断、企業価値、将来業績を評価・予測するものではありません。

特に「リスク開示注意度」は、高いほど良いという意味ではありません。 有報上で注意して読むべきリスク記述が多い、具体的、または重い可能性があるという意味です。

スコアの詳しい見方
リスク開示注意度
スコアが高いほど、有価証券報告書に記載されたリスク開示について、 注意して読むべき記述の多さ・具体性・重さが強いことを表します。 企業そのものの危険度や倒産リスクを示すものではありません。
方針具体度
スコアが高いほど、経営方針、対処すべき課題、資本政策、 リスク対応などが具体的に記載されていることを表します。 方針の良し悪しや実現可能性を判定するものではありません。
投資・変化姿勢
スコアが高いほど、設備投資、研究開発、新規事業、DX、海外展開、 事業構造の変化など、将来に向けた取り組みの記載が強いことを表します。 成長性や投資成果を予測するものではありません。
財務スコア(計算)
スコアが高いほど、有価証券報告書XBRLから取得できた主要財務指標に基づく 参考上の安定性・収益性などが相対的に良好に見えることを表します。 XBRLからの機械抽出値をもとに計算しており、 企業の財務力を完全に評価するものではありません。

リスク開示の整理

リスク開示注意度: 2 / 5

有報ナビによる整理

同社は半導体向け露光装置(Industrial Process)を成長の柱とし、映像機器分野での技術転換や市場変化に対応するための事業ポートフォリオ再編を進めています。財務面では豊富な現預金を保有しており、資本効率の改善と株主還元の強化に向けた明確な戦略を有しています。半導体市場の変動や地政学的リスクといった外部要因への感応度はありますが、経営体制は安定しており、成長投資と財務規律の両立を図る姿勢が見られます。

経営方針・課題の整理

方針具体度: 4 / 5

有報ナビによる整理

「Revive Vision 2030」を掲げ、半導体関連のIndustrial Process事業へ投資を集中しつつ、資本効率の改善と株主還元の強化を両立させる戦略。不採算事業の整理とポートフォリオ変革を通じて収益性を高め、ROE向上と企業価値の最大化を目指す。

成長方針

新成長戦略『Revive Vision 2030』に基づき、半導体アドバンスドパッケージ等の成長分野(Industrial Process事業)へリソースを集中。不採算事業の整理とポートフォリオ変革により収益性を向上させる。

資本政策

ROE向上に向けた資本効率の改善を重視。有価証券の売却による資金を事業投資および株主還元へ振り替え、Phase Iで1株当たり70円以上の配当と500〜600億円の自社株買いを実施する方針。

リスク対応方針

サプライチェーンの可視化・多角化による調達リスクへの対応、地政学的リスクに対する拠点間連携による事業継続体制の構築、サイバーセキュリティ強化、およびTCFDに準拠した気候変動情報の開示を含む包括的な管理体制を整備。

投資・研究開発・成長施策の整理

投資・変化姿勢: 4 / 5

有報ナビによる整理

同社は「Revive Vision 2030」を掲げ、半導体アドバンスドパッケージ等の高成長分野へ研究開発と設備投資を集約する戦略を実行。特に次世代リソグラフィ技術やGaNレーザーなど、先端技術への積極的な投資を通じて競争力を強化しており、事業ポートフォリオの最適化と資本効率の向上を同時に推進している。

設備投資の方向性

成長分野であるIndustrial Process事業への集中投資。特に次世代リソグラフィ技術(DLT)の共同開発に伴う先行投資や、先端パッケージ向け露光装置のラインアップ拡充に向けた設備投資を優先する方針。

研究開発・商品開発

半導体向けのガラス基盤用露光装置や直描式(DI)露光装置の開発、高輝度・省電力なプロジェクター技術、非破壊検査用のパルス分光、GaN系半導体レーザーの高度化など、各事業領域における先端技術への継続的な投資を実施。

投資・変化テーマ

  • 半導体アドバンスドパッケージ
  • 次世代リソグラフィ技術(DLT)
  • ガラス基板対応露光装置
  • GaN系半導体レーザー
  • 非破壊検査用パルス分光
  • 高輝度・省電力プロジェクター

関連キーワード

  • 露光装置
  • 直描式(DI)
  • ガラス基板
  • GaN半導体レーザ
  • パルス分光
  • 高度な映像演出システム
  • AI/IoT対応パッケージ

財務指標の簡易整理

金額項目は有価証券報告書XBRLから機械抽出した値です。 比率・スコアには抽出値をもとに計算した参考値が含まれます。 計算値は「計算」と明記しています。

財務スコア(計算): 5 / 5

抽出・計算条件

スコア信頼性: 標準 利益率信頼性: 高 対象: 連結 会計基準: IFRSまたはIFRS類似

損益

項目 区分
売上高 1,776.2 億円 抽出
営業利益 88.2 億円 抽出
経常利益 124.5 億円 抽出
税引前利益 140.1 億円 抽出
当期純利益 68.0 億円 抽出

財政状態

項目 区分
総資産 2,973.0 億円 抽出
純資産 2,005.1 億円 抽出
自己資本 1,514.3 億円 抽出
現金等 600.0 億円 抽出
有利子負債 380.3 億円 計算 / 複数XBRLタグの合算値

キャッシュフロー

項目 区分
営業CF 204.2 億円 抽出
投資CF 27.2 億円 抽出
財務CF -249.9 億円 抽出

主な比率

項目 区分
自己資本比率 67.40% 抽出(有報掲載値) / 有報掲載値を優先
純資産比率 67.44% 計算 / 純資産 / 総資産
営業利益率 4.97% 計算 / 営業利益 / 売上高
純利益率 3.83% 計算 / 当期純利益 / 売上高
ROE 4.49% 計算 / 当期純利益 / 自己資本
ROA 2.29% 計算 / 当期純利益 / 総資産
営業CFマージン 11.50% 計算 / 営業CF / 売上高
有利子負債比率 12.79% 計算 / 有利子負債 / 総資産
現金等比率 20.18% 計算 / 現金等 / 総資産

参考比率

項目 区分
自己資本比率(有報掲載) 67.40% 抽出(有報掲載値)
自己資本比率(計算参考) 50.93% 計算
純資産比率(計算参考) 67.44% 計算

この企業の分析履歴

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年度 提出日 docID 表示
2026 2026-06-25 S100YKRT この年度を見る
2025 表示中 2025-06-26 S100W6WA この年度を見る
最新年度と比較

※ 過去年度の分析は、当時提出された有価証券報告書をもとにした履歴情報です。 現在の企業状況とは異なる場合があります。

出典

データ元
EDINET 有価証券報告書
docID
S100W6WA 外部サイト(EDINET公式サイト)を開きます

技術情報

分析バージョン
2025
使用モデル
gemma4:12b

このページについて

本ページは、有価証券報告書の内容をもとに自動生成した企業理解用のページです。 内容の正確性・完全性を保証するものではありません。

投資判断を行う場合は、必ずEDINETの原文、有価証券報告書、決算短信、 会社公表資料などをご確認ください。

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