ジオマテック株式会社

証券コード: 6907.T / 対象年度: 2026 / 提出日: 2026-06-25
年度切替

このページは、EDINETに提出された有価証券報告書をもとに、 企業のリスク認識・投資領域・経営方針を自動整理したものです。

β版のため、一部の表現に機械的な要約や不自然な記述が含まれる場合があります。 投資判断ではなく、企業理解の入口としてご利用ください。

詳細整理

以下は、有価証券報告書の記載内容をもとに、リスク、経営方針、 投資・研究開発に関する情報を整理したものです。

各スコアは、有価証券報告書の記載内容を整理するための参考指標です。 5段階表示で、スコアが高いほど各項目の性質が強く出ていることを表します。 ただし、投資判断、企業価値、将来業績を評価・予測するものではありません。

特に「リスク開示注意度」は、高いほど良いという意味ではありません。 有報上で注意して読むべきリスク記述が多い、具体的、または重い可能性があるという意味です。

スコアの詳しい見方
リスク開示注意度
スコアが高いほど、有価証券報告書に記載されたリスク開示について、 注意して読むべき記述の多さ・具体性・重さが強いことを表します。 企業そのものの危険度や倒産リスクを示すものではありません。
方針具体度
スコアが高いほど、経営方針、対処すべき課題、資本政策、 リスク対応などが具体的に記載されていることを表します。 方針の良し悪しや実現可能性を判定するものではありません。
投資・変化姿勢
スコアが高いほど、設備投資、研究開発、新規事業、DX、海外展開、 事業構造の変化など、将来に向けた取り組みの記載が強いことを表します。 成長性や投資成果を予測するものではありません。
財務スコア(計算)
スコアが高いほど、有価証券報告書XBRLから取得できた主要財務指標に基づく 参考上の安定性・収益性などが相対的に良好に見えることを表します。 XBRLからの機械抽出値をもとに計算しており、 企業の財務力を完全に評価するものではありません。

リスク開示の整理

リスク開示注意度: 2 / 5

有報ナビによる整理

同社はディスプレイおよび半導体向け薄膜技術に強みを持つ企業であり、財務基盤は非常に安定しています。自己資本比率が高く、キャッシュフローも良好です。事業面では中国・台湾勢との競争や原材料価格の変動といったリスクを認識していますが、生産技術の高度化による差別化と、成長分野(半導体等)への注力により対応を図っています。

経営方針・課題の整理

方針具体度: 4 / 5

有報ナビによる整理

同社は「薄膜技術」に「生産技術」を融合させることで、顧客の利便性と自社の収益性の両立を目指す戦略を明確に打ち出している。特に半導体や次世代エネルギーといった成長分野への注力と、R&Dにおける「選択と集中」、および人的資本・デジタル基盤の強化を通じて持続的な企業価値の最大化を図る方針である。

成長方針

「薄膜技術×生産技術」の融合による高付加価値化と収益性の向上。コア事業の原価低減・価格戦略の見直し、成長分野(半導体等)への展開、およびR&Dを通じた新製品開発と量産化に向けた機動的な開発体制の構築。

資本政策

資本効率の向上と成長領域への戦略的投資を推進。運転資金は自己資金および短期借入、設備投資等の長期資金は主に金融機関からの長期借入で調達し、十分な流動性を確保する方針。

リスク対応方針

特定市場(自動車向けディスプレイ)への依存や海外競合に対し、多角的な事業展開で対応。原材料(インジウム)やエネルギー価格の高騰に対しては、生産性向上、省エネ・高効率設備の導入、および販売価格への転嫁等により吸収を図る。

投資・研究開発・成長施策の整理

投資・変化姿勢: 4 / 5

有報ナビによる整理

同社は「薄膜技術」に「生産技術」を融合させることで、競合他社との差別化と収益性の向上を図る戦略をとっている。特に半導体分野における先端材料やナノ構造体など、成長が見込まれる領域への研究開発投資が積極的である。設備投資は既存拠点の能力強化に充てられつつ、DX推進による経営基盤の強化も進めている。

設備投資の方向性

金成工場および赤穂工場の製造設備への投資を行い、生産能力の向上と品質の安定化を図る。また、エネルギー効率の高い設備の導入によるコスト削減も視野に入れている。

研究開発・商品開発

「薄膜技術×生産技術」を軸とした研究開発体制を構築。単なる技術高度化だけでなく、試作を通じた市場ニーズの早期把握と量産への橋渡しを重視。半導体(GaN、MEMS等)やナノ構造体など、成長性の高い分野にリソースを集中投下している。

投資・変化テーマ

  • 薄膜技術の高度化
  • 生産技術との融合による差別化
  • 半導体・電子部品向け先端材料(GaN、MEMS等)
  • ナノ構造体製品の開発
  • マニュファクチャリングサービスの展開

関連キーワード

  • 薄膜技術
  • 生産技術
  • 半導体材料
  • GaNウエハー
  • MEMSデバイス
  • ナノ構造体
  • プラズマプロセス
  • 試作・単品開発

財務指標の簡易整理

金額項目は有価証券報告書XBRLから機械抽出した値です。 比率・スコアには抽出値をもとに計算した参考値が含まれます。 計算値は「計算」と明記しています。

財務スコア(計算): 5 / 5

抽出・計算条件

スコア信頼性: 標準 利益率信頼性: 高 対象: 単体 会計基準: 不明

損益

項目 区分
売上高 60.1 億円 抽出
営業利益 3.4 億円 抽出
経常利益 4.3 億円 抽出
税引前利益 4.9 億円 抽出
当期純利益 6.4 億円 抽出

財政状態

項目 区分
総資産 164.6 億円 抽出
純資産 100.4 億円 抽出
自己資本 93.0 億円 抽出
現金等 40.3 億円 抽出

キャッシュフロー

項目 区分
営業CF 12.6 億円 抽出
投資CF 3,164 万円 抽出
財務CF -2.9 億円 抽出

主な比率

項目 区分
自己資本比率 55.20% 抽出(有報掲載値) / 有報掲載値を優先
純資産比率 61.02% 計算 / 純資産 / 総資産
営業利益率 5.68% 計算 / 営業利益 / 売上高
純利益率 10.63% 計算 / 当期純利益 / 売上高
ROE 6.87% 計算 / 当期純利益 / 自己資本
ROA 3.88% 計算 / 当期純利益 / 総資産
営業CFマージン 20.91% 計算 / 営業CF / 売上高
現金等比率 24.48% 計算 / 現金等 / 総資産

参考比率

項目 区分
自己資本比率(有報掲載) 55.20% 抽出(有報掲載値)
自己資本比率(計算参考) 56.47% 計算
純資産比率(計算参考) 61.02% 計算

注意フラグ

  • mixed known and unknown scope

この企業の分析履歴

分析タイムラインを見る

この企業について、有報ナビで確認できる年度別の分析一覧です。 年度を選択すると、その年度の分析ページに切り替わります。

年度 提出日 docID 表示
2026 表示中 2026-06-25 S100YKF2 この年度を見る
2025 2025-06-27 S100W8CD この年度を見る
最新年度と比較

※ 過去年度の分析は、当時提出された有価証券報告書をもとにした履歴情報です。 現在の企業状況とは異なる場合があります。

出典

データ元
EDINET 有価証券報告書
docID
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技術情報

分析バージョン
2026Q2
使用モデル
gemma4:12b

このページについて

本ページは、有価証券報告書の内容をもとに自動生成した企業理解用のページです。 内容の正確性・完全性を保証するものではありません。

投資判断を行う場合は、必ずEDINETの原文、有価証券報告書、決算短信、 会社公表資料などをご確認ください。

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