レーザーテック株式会社 年度比較

2017年度

研究開発における新製品の導入タイミングや開発スケジュールが業績に影響するリスク。高度な専門性を有する人材の確保・育成、および重要な人材の流出による影響。半導体市場の需給バランスや技術革新に伴う急激な変化による事業規模の変動。未成熟な新技術の導入に伴う予期せぬ品質問題の発生。複雑化する知的財産権の侵害回避や紛争への巻き込まれによる影響。高額製品のため、検収時期のわずかな変動が業績に与える大きな影響。代替困難な特殊部品（光源・光学部品）の供給停滞による生産への支障。海外事業における規制変更、経済的混乱、および一部外貨建取引における為替変動の影響。本社所在地域での大規模災害によるインフラ停止や生産活動の停滞。技術情報や顧客情報の流出による信用毀損のリスク。

2025年度

半導体市場の変動による需要の急減・急増への対応として、顧客動向の把握とファブライト戦略による生産体制を構築。研究開発における技術水準やスケジュールへの未対応による競争力喪失に対し、顧客との信頼関係構築や先端開発室の設置で対応。専門人材の確保・育成困難に対しては、給与体系と評価制度の整備を実施。新技術に伴う品質問題にはISO9001に基づく体制で対応。知的財産権の侵害や紛争に対し、初期段階からの知財戦略を推進。高額製品の検収時期の変動による業績への影響に留意。特殊な部品・材料（光源等）の供給停滞に対しては、仕入先との関係強化とセカンドソースの確保で対応。海外事業における地政学的リスクや規制変更には現地拠点の設置と報告体制で対応。為替変動の影響に対し、円建て取引の推進と感応度のモニタリングを実施。災害等による拠点機能への影響に備えBCPを策定。情報セキュリティに関するリスクに対しては分科会による対策を実施。

2017年度

レーザーテックは半導体検査装置のトップシェアを誇る企業。高度な光学・精密機械技術を核に、EUVやSiCなどの次世代技術への対応を強化しており、強固な財務基盤と明確な成長戦略（コア事業強化＋新規分野開拓）の両立により高い成長期待が見込まれる。

2025年度

光技術を核とした高度なソリューション提供により、半導体分野のニッチ市場で圧倒的なシェアを獲得する戦略。強固な財務基盤と積極的なR&D投資、人材確保への注力により持続的成長を目指す。

2017年度

レーザーテックは、半導体製造における最先端リソグラフィ工程（EUV等）に不可欠な検査装置において圧倒的な技術的優位性を有する。研究開発への積極的な投資と独自技術の融合により、次世代半導体市場の成長を捉えるための強固なポートフォリオを構築している。

2025年度

レーザーテックは半導体検査装置における「マルチニッチトップ」企業として、独自の光応用技術と精密機構を融合させた「オプトメカトロニクス」で高い競争力を有する。EUVやSiCといった最先端分野への積極的な研究開発投資を行い、AI技術の統合等を通じて次世代半導体市場での優位性を確立している。強固な財務基盤を背景に、高度な技術革新と人材確保に向けた戦略的な成長投資を継続する方針である。