富士電機株式会社 年度比較

2017年度

原材料・部品価格の高騰（スワップ取引等で対応）、為替変動による業績への影響、金利上昇に伴う金融債務の負担増、半導体やディスク媒体等の投資回収リスク、海外展開における法的・政治的・社会的リスク、知的財産権の係争、品質管理上の問題、個人情報の漏洩、および大規模な災害や訴訟等による事業への影響。

2026年度

「事業等のリスク」に基づき、以下のリスクを特定。半導体分野における投資回収の不確実性（製品サイクルの短さ、需要変動）、環境規制強化に伴う石炭火力発電事業への批判によるレピュテーションリスク、地政学リスクによるサプライチェーン分断や拠点運営への影響、原材料価格高騰および為替変動によるコスト増大、大型案件における工期遅延や仕様変更に伴う採算悪化、サイバー攻撃による情報漏洩やシステム機能不全。

2017年度

パワーエレクトロニクス技術を核とした多角的な事業展開。中期経営計画に基づき、事業再編によるシナジー創出とグローバルでの生産・販売体制強化を進める。リスク管理体制は包括的であり、強固な財務基盤と研究開発への積極投資により競争力を維持。

2026年度

同社は「利益重視経営」を軸に、エネルギー、インダストリー、半導体の各セグメントでGXやDXといった成長市場への対応を加速させています。特にパワーエレクトロニクス技術を基盤とした製品の高度化と生産能力の拡大により、2026年度に向けた収益力の向上と持続的な企業価値の向上を目指す明確な戦略を有しています。

2017年度

富士電機は、長年培ったパワーエレクトロニクス技術を基盤に、SiC半導体などの次世代技術への投資を積極的に行い、エネルギー管理や産業インフラの高度化（DX推進）に向けた研究開発と設備投資を強化している。特にパワエレ機器分野での先行投資が目立つが、安定した経営基盤と広範な特許保有により競争力を維持。

2026年度

同社はパワーエレクトロニクスおよび半導体分野を成長の柱とし、特にSiC（シリコンカーバイド）や水素関連など、GX・DXに直結する高度な技術領域へ戦略的な設備投資と研究開発を行っている。エネルギー転換とデジタル化の潮流を捉えた強固なポートフォリオを有しており、次世代のインフラおよび製造基盤において競争力を高める姿勢が明確である。